Substrat wafer kuarsa
Substrat Wafer Kuarsa adalah wafer yeng terutama dipeuget dari kuarsa murni tinggi (SiO2), le dipakek dalam semikonduktor, optoelektronika, sistem elektromekanis mikro (MEMS), alat optik, ngen bidang laen jih.
Deskripsi
Sifeut Bahan
- Kemurnian Tinggi:Biasa jih jipeugot dari kuarsa sintetis (miseu jih, silika nyang ka meusatu), ngon kemurnian nyang that manyang ( Leubeh rayeuk atawa saban ngon 99,99%) ngon kotoran nyang minim mangat bek meupeungaroh keu kinerja alat.
- Stabilitas Termal:Koefisien ekspansi termal nyang miyub (≈0,55×10−6/ derajat ) ngon tahan suhu-manyang (titik peuleumoh ~1600 derajat ), cocok keu proses suhu-manyang.
- Kinerja Optik:Rentang transmisi nyang luah (UV sampoe IR), ngon transmitansi UV nyang luar biasa, jroh that keu fotomasker, lensa, ngon laen-laen.
- Inersia Kimia:Tahan keu asam ngon basa (kecuali asam hidrofluorat), cocok keu proses etsa basah.
- Isolasi Listrik:High resistivity (>1016 Ω·cm), that jroh keu substrat isolasi atawa alat frekuensi tinggi-.
Aplikasi
Peugot semikonduktor
- Substrat topeng foto
- Komponen litografi EUV
- Pembawa pengolahan wafer .
Fotonik ngon Optoelektronika
- Substrat peumandu gelombang optik
- Peupasang dioda laser .
- Komponen peuhitongan kuantum .
Aplikasi Khusus
- Dasar resonator MEMS
- Optik teleskop angkasa raya
Sistem laser energi nyang manyang
Proses peugot
- Sintesis Bahan Baku:Dipeuhase rot pengendapan uap (miseu jih, oksidasi SiCl4) atawa pemurnian kuarsa alami.
- Leleh ngon Peubentuk:Suhu-leleh tinggi geuikuti deungon geupeulupie jeut keu ingot atawa langsong geugamba jeut keu batang.
- Peukoh:Dikoh jeut keu wafer tipih ngon geungui gergaji kawat intan atawa geukoh laser.
- Giling dan Poles:Peuleumah mekanis kimia (CMP) meucapai kehalusan tingkat nanometer-.
- Peugleh ngon Peumeuriksan:Peuhah partikel ngon kontaminan logam, lheuh nyan geutes cacat ngon parameter.
Sipheut
|
Sifeut Fisik |
Nilai-nilai |
|
Keusucian |
＞99.99% |
|
Jeunih geuheen |
2,2g/sm3 |
|
Transparansi |
＞90% |
|
Keukarasan Mohs |
5.5--6.5 |
|
Titék Deformasi |
1280 derajat |
|
Titek Peuleumoh |
1750 derajat |
|
Titék Peu-ék |
1250 derajat |
|
Suum spesifik (20 - 350 derajat ) |
670J/kg. tingkat |
|
Konduktivitas Termal (20 derajat ) . |
1,4W/m. tingkat |
|
Konduktivitas Suum (w/mk,1000 derajat) |
1.0-1.2 |
|
Indeks bias |
1.4585 |
|
Koefisien Ekspansi Termal . |
5.510 -7sm/sm. tingkat |
|
Suhu buet - suum |
1750--2050 derajat |
|
Suhu Layanan jangka paneuk - |
1450 derajat |
|
Suhu Layanan jangka panyang - |
1100 derajat |
|
Sifeut Kimia |
Nilai-nilai |
|
Tahan asam |
Asam teuga (kecuali HF), alkali teuga, larutan organik |
|
Suhu tinggi Tahan korosi . |
Bereh |
|
Kandungan Kotoran Logam |
<5 ppm |
|
Sifeut Listrik |
Nilai-nilai |
|
Keulawanan |
7107Ω.cm |
|
Kekuatan Isolasi |
250~400Kv/sm |
|
Konstanta Dielektrik |
3.7~3.9 |
|
Koefisien Serapan Dielektrik |
＜410-4 |
|
Koefisien Gadoh Dielektrik . |
＜110-4 |
|
Sifeut Mekanik |
Nilai-nilai |
|
Kekuatan Tekan |
1100mpa |
|
Kekuatan Bengkok |
67MPa |
|
Kekuatan Tarek |
48MPa |
|
Rasio Poisson |
0.14~0.17 |
|
Modulus Muda |
72000mpa |
|
Modulus geuritan |
31000mpa |
FAQ
Q1: Peue ukuran substrat wafer kuarsa maksimum nyang na?
A: Produksi standar sampoe diameter 300mm, ngon prototipe 450mm nyang na keu R&D.
Q2: Jeut neubri profil tebal nyang disesuaikan?
A: Jeut - kamoe jeut meuhasekan:
- Wafer nyang meu-iris (keu aplikasi laser)
- Desain lancip presisi
- Mesa-permukaan nyang meustruktur
P3: Protokol peugleh peu nyang droeneuh rekomendasikan?
A: Proses gleh RCA standar:
1. Peugadeh organik (H2SO4:H2O2)
2. Peugleh ion (HCl:H2O2)
3. HF-akhé keu permukaan hidrofilik .
Tag suum: substrat wafer kuarsa, Cina produsen substrat wafer kuarsa, pemasok, pabrik
Kirim Penyelidikan
Kamoe Meuhareuga cit Bak
